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硅太陽能電池新技術(shù):33%的能量轉(zhuǎn)換率

發(fā)布時(shí)間:2020-06-04

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       硅太陽能電池如今以90%的份額主導(dǎo)了全球光伏市場。隨著新技術(shù)的發(fā)展,研究和工業(yè)正接近半導(dǎo)體硅的理論效率極限。同時(shí),他們正在開辟新的道路,以開發(fā)新一代更高效的太陽能電池。
       弗勞恩霍夫研究人員使用具有0.002 mm極薄III-V化合物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層并將其粘結(jié)到硅太陽能電池上,實(shí)現(xiàn)了基于硅的多結(jié)太陽能電池的高轉(zhuǎn)換效率。相比之下,這些層的厚度小于人發(fā)厚度的二十分之一。可見光被砷化鎵鎵(GaInP)頂部電池吸收,砷化鎵(GaAs)吸收近紅外光,硅子電池吸收更長的波長。這樣,可以顯著提高硅太陽能電池的效率。

硅太陽能電池

       Fraunhofer ISE研究所所長Andreas Bett博士說:“光伏是能源轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵支柱。” “與此同時(shí),成本已降低到一定程度,以至于光伏電池已成為傳統(tǒng)能源在經(jīng)濟(jì)上可行的競爭對手。但是,這種發(fā)展尚未結(jié)束。新的結(jié)果表明,如何通過提高效率來減少材料消耗,從而不僅可以進(jìn)一步優(yōu)化光伏電池的成本,而且可以以資源友好的方式進(jìn)行制造。
       早在2016年11月,弗萊堡的太陽能研究人員及其行業(yè)合作伙伴EVG就證明了30.2%的效率,到2017年3月將其提高到31.3%。現(xiàn)在,他們再次成功地極大地改善了硅的光吸收和電荷分離,從而創(chuàng)下了33.3%的效率新紀(jì)錄。該技術(shù)還說服了綠色技術(shù)獎(jiǎng)2018評審團(tuán),并被提名為“能源”類別的前三名。
技術(shù)
       為了取得這一成就,研究人員使用了微電子工業(yè)中一種眾所周知的“直接晶圓鍵合”工藝,將厚度僅為1.9微米的III-V半導(dǎo)體層轉(zhuǎn)移到了硅上。在高真空下用離子束在EVG580®ComBond®室中對表面進(jìn)行脫氧,然后在壓力下將其粘合在一起。III-V子電池表面上的原子與硅原子形成鍵,從而形成整體式器件。從外觀上看不出其內(nèi)部結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性:該電池具有簡單的前后接觸,就像傳統(tǒng)的硅太陽能電池一樣,因此可以以相同的方式集成到光伏模塊中。
       III-V / Si多結(jié)太陽能電池由一系列相互堆疊的子電池組成。所謂的“隧道二極管”內(nèi)部連接了三個(gè)由磷化銦鎵(GaInP),砷化鎵(GaAs)和硅(Si)組成的子電池,它們跨越了太陽光譜的吸收范圍。GaInP頂部電池吸收300至670 nm之間的輻射。中間的GaAs子電池吸收500至890 nm之間的輻射,底部的Si子電池分別吸收650至1180 nm之間的輻射。首先將III-V層外延沉積在GaAs襯底上,然后結(jié)合到硅太陽能電池結(jié)構(gòu)上。在此,將隧道氧化物鈍化觸點(diǎn)(TOPCon)應(yīng)用于硅的正面和背面。隨后去除GaAs襯底,實(shí)現(xiàn)納米結(jié)構(gòu)的背面接觸以延長光的路徑長度。

硅晶圓鍵合機(jī)
       在工業(yè)化制造III-V / Si多結(jié)太陽能電池的過程中,必須降低III-V外延的成本以及與硅的連接技術(shù)。Fraunhofer ISE研究人員打算通過未來的調(diào)查來解決這一領(lǐng)域中仍然存在的巨大挑戰(zhàn)。弗勞恩霍夫(Fraunhofer)ISE的新高效太陽能電池中心目前正在弗萊堡(Freiburg)建造,將為它們提供開發(fā)下一代III-V和硅太陽能電池技術(shù)的理想場所。最終目標(biāo)是將來使高效太陽能光伏組件的效率超過30%。
項(xiàng)目融資

       年輕的科學(xué)家,第一作者羅曼·卡里烏(Roman Cariou)博士獲得了瑪麗·居里(Marie Curie)血統(tǒng)書(HISTORIC,655272)的支持,獲得了歐盟的支持。歐盟在NanoTandem項(xiàng)目(641023)中以及德國聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)事務(wù)和能源部BMWi在PoTaSi項(xiàng)目(FKZ 0324247)中也為這項(xiàng)工作提供了支持。

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