EVG光刻機(jī)EVG®610是一款緊湊型多功能研發(fā)系統(tǒng)，可處理零碎片和最大200 mm的晶圓。

一、簡(jiǎn)介

       EVG光刻機(jī)EVG610支持各種標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝，如真空，硬，軟接觸和接近式曝光模式，可選擇背部對(duì)準(zhǔn)方式。此外，該系統(tǒng)還提供其他功能，包括鍵合對(duì)準(zhǔn)和納米壓印光刻（NIL）。EVG610提供快速處理和重新加工，以滿(mǎn)足不斷變化的用戶(hù)需求，轉(zhuǎn)換時(shí)間不到幾分鐘。其先進(jìn)的多用戶(hù)概念適合初學(xué)者到專(zhuān)家級(jí)各個(gè)階層用戶(hù)，非常適合大學(xué)和研發(fā)應(yīng)用。

二、EVG光刻機(jī)應(yīng)用

       MEMS，RF器件，功率器件，化合物半導(dǎo)體等方面的圖形光刻應(yīng)用。

三、EVG光刻機(jī)特征

      晶圓/基片尺寸從零碎片到200毫米/ 8英寸

      頂部和底部對(duì)準(zhǔn)功能

      高精度對(duì)準(zhǔn)

      自動(dòng)楔形補(bǔ)償序列

      電動(dòng)的和程序控制的曝光間隙

      支持最新的UV-LED技術(shù)

      最小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求

      分步流程指引

      遠(yuǎn)程技術(shù)支持

      多用戶(hù)概念（無(wú)限數(shù)量的用戶(hù)帳戶(hù)和程序，可分配的訪(fǎng)問(wèn)權(quán)限，不同語(yǔ)言）

     敏捷的處理和轉(zhuǎn)換重新加工

      臺(tái)式或獨(dú)立式帶防振花崗巖臺(tái)面

      附加功能：

         鍵合對(duì)準(zhǔn)

         紅外對(duì)準(zhǔn)

         納米壓印光刻（NIL）

四、技術(shù)參數(shù)

1.掩模版-基板-晶圓尺寸

       掩模版尺寸：5寸/7寸/9寸

       基片/晶圓尺寸：100mm/150mm/200mm

       晶圓厚度：高達(dá)10mm

2.對(duì)準(zhǔn)模式

       頂部對(duì)準(zhǔn)精度：≤ ± 0,5 μm

       底部對(duì)準(zhǔn)精度：≤ ± 2,0 μm

       紅外對(duì)準(zhǔn)模式：≤ ± 2,0 μm/取決于基片的材料

3.頂部顯微鏡

       移動(dòng)范圍1：100mm（X軸：32-100mm；Y軸：-50/+30mm；）

       移動(dòng)范圍2：150mm（X軸：32-150mm；Y軸：-75/+30mm；）

       移動(dòng)范圍1：200mm（X軸：32-200mm；Y軸：-100/+30mm；）

       可選：平坦的物鏡可以增加光程；帶有環(huán)形燈的暗場(chǎng)物鏡，可以增加對(duì)比度

4.底部顯微鏡

       移動(dòng)范圍1：100mm（X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；）

       移動(dòng)范圍2：150mm（X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；）

       移動(dòng)范圍1：200mm（X軸：30-100mm；Y軸：±12mm；）

       可選：平坦的物鏡可以增加光程；帶有環(huán)形燈的暗場(chǎng)物鏡，可以增加對(duì)比度

5.曝光器件

（1）波長(zhǎng)范圍：

       NUV：350 - 450 nm

       DUV：低至200 nm (可選)

（2）光源：

       汞燈350W , 500W UV LED燈

（3）均勻性：

       150mm：≤ 3%

       200mm：≤ 4%

（4）濾光片：

       汞燈：機(jī)械式

       UV LED：軟件可調(diào)

6.曝光模式

       接觸：硬、軟接觸，真空

       曝光間隙：1 - 1000 μm

       線(xiàn)寬精度：1μm

       模式：CP(Hg/LED)、CD(Hg/LED)、 CT(Hg/LED) 、CI(LED)

       可選：內(nèi)部，浸入，扇形

7.可選功能

       鍵合對(duì)準(zhǔn)精度：≤ ± 2,0 μm

       納米壓抑光刻（NIL）精度：≤ ± 2,0 μm

       納米壓抑光刻（NIL）軟印章分辨率：≤ 50 nm圖形分辨率

8.設(shè)施

       真空：< 150 mbar

       壓縮氣體：6 bar

       氮?dú)猓嚎蛇x2或者6 bar

       排氣要求：汞燈需要；LED不需要

9.系統(tǒng)方式

       系統(tǒng)：windows

       文件分享和軟件備份

       無(wú)限程序儲(chǔ)存，參數(shù)儲(chǔ)存在程序內(nèi)

       支持多語(yǔ)言，含中文

       實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程支持，診斷和排除故障

10.楔形補(bǔ)償

       全自動(dòng)- 軟件控制

11.規(guī)格

       占地面積：0.55m2

       高度：1.01m

       重量：約250kg

       納米壓印分辨率：≤ 40 nm（取決于模板和工藝）

       支持工藝：Soft UV-NIL

       以上內(nèi)容未經(jīng)授權(quán)，不得復(fù)制，否則將追究責(zé)任。